fjrigjwwe9r1UNIMO_MULTIBOARD:Brd_Contents 차세대 고성능 스마트폰 및 태블릿에 최적화 솔루션 제공
패키지 사이즈 23% 감소 불구 용량 128GB까지 2배 확대
향후 10나노급 낸드 및 솔루션 강화로 프리미엄 시장 주도
삼성전자는 15일 1x나노(1x nm, 10나노급) 고속낸드 기반으로 업계 최고 속도를 구현한 64GB 내장메모리카드(eMMC, embedded Multi Media Card)를 출시한다고 밝혔다.
‘eMMC’는 최근 시장이 급격히 확대되고 있는 스마트폰과 태블릿PC 등의 모바일제품에 사용되는 저장용 메모리 반도체다.
소비자들은 고성능 고용량 eMMC가 탑재된 모바일 기기 사용으로 풀HD 영상과 같은 고사양의 콘텐츠를 보다 빠르게 즐길 수 있다.
삼성전자는 지난달 본격 양산하기 시작한 1x나노급 64Gb 고속낸드를 기반으로 이달부터 최신 표준인 eMMC 4.5 인터페이스의 ＇64GB eMMC 프로 클레스 2000＇을 선보인다.
＇64GB eMMC 프로 클레스 2000＇은 지난 7월 양산한 ＇64GB eMMC 프로 클레스 1500＇ 대비 성능을 30% 향상시킨 제품이다.
불과 4개월 만에 기술을 한단계 더 끌어 올린 셈이다. 내년에는 128GB 대용량 제품의 출시를 통해 업계 최대 eMMC 라인업을 구축해 나갈 예정이다.
삼성전자는 64GB eMMC 제품에 독자규격의 eMMC 버전을 적용하면서 내년 JEDEC에 등록될 차세대 고성능 스토리지 기술의 표준을 주도해 나갈 수 있게 됐다.
JEDEC(Joint Election Engineering Council)는 국제 반도체표준화기구로 전자기기에 들어가는 반도체의 규격 및 표준을 결정한다.
＇64GB eMMC 프로 클레스 2000＇은 임의쓰기 속도를 2,000 IOPS(Input and outputs per second)까지 향상 시켰고 임의읽기 속도는 5,000 IOPS까지 구현했다.
특히 연속읽기 속도와 쓰기 속도가 각각 260MB/s(Megabyte per second), 50MB/s으로 약 1.4GB 분량의 영화 1편을 읽고 쓰는데 5.4초와 28초가 걸리는 수준이다. 이는 고속 외장 메모리 카드인 클레스 10 제품의 읽기 24MB/s, 쓰기 12MB/s보다 10배 이상 빠른 속도다.
64GB eMMC 프로 클레스 2000은 패키지 사이즈가 11.5x13mm에 불과해 기존 제품의 패키지 사이즈(12x16mm)보다 약 20% 이상 작다.
삼성전자는 이 내장메모리카드를 통해 내년에 출시될 차세대 고성능 스마트폰과 태블릿에 가장 적합한 모바일 솔루션을 제공할 계획이다.
더 작고 더 빨라진 성능으로 스마트폰에서 더욱 원활한 멀티태스킹 성능 구현이 가능하다.
“삼성전자 독자규격의 차세대 내장스토리지 선행 출시로 모바일 메모리의 솔루션 경쟁력을 더욱 강화했다. 향후 어플리케이션 프로세서 업체와 기술 협력을 통해 더욱 다양한 라인업을 확보해 모바일기기 업체들이 차세대 시스템을 적기에 출시할 수 있게 할 계획이다.”
- 김명호 상무(삼성전자 메모리사업부)
삼성전자는 지난해 5월 업계 최초로 초고속 낸드플래시 규격인 Toggle DDR(Double Data Rate) 2.0을 적용한 2y나노 64Gb MLC(Multi Level Cell) 낸드플래시 제품을 양산한바 있다.
지난달부터는 기존 20나노급 낸드와 공정호환성을 통해 생산성을 30% 향상한 1x나노 64Gb 낸드를 본격 양산했다.
삼성전자는 올해부터 10나노급 64Gb 낸드플래시의 생산량을 빠르게 늘려 오는 2014년에는 10나노급이 전체 낸드플래시 시장의 50% 이상을 차지할 것으로 내다봤다.
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